npn型晶体管三个分区分别掺杂硼
第一次硼注入形成本征基区。
第二次硼注入自动对准于多晶硅发射区，以形成一个连接本征基区和 p+ 基极接触的多晶发射极旁的侧墙结构，以此用来隔开p+ 基极接触和提供自动对准。
第三次硼注入，形成p+基区。
匿名回答于2021-07-17 04:51:12
