例如在非易失存储器中的MOS管承受的电压1V左右，而一般0.13um工艺下NMOS管的击穿电压大约为10V，因此电路设计需要击穿电压能够达到12V以上的MOS管，小幅度提高MOS管的击穿电压，增强电路的可靠性。
匿名回答于2021-04-15 16:11:50
