光刻前处理工艺流程？

光刻工艺主要步骤1. 基片前处理为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，2. 涂光刻胶涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。

3. 前烘(软烘焙)前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。

4. 对准和曝光(A＆E) 保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。

所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。

第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。

5. 显影显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。

6. 后烘(坚膜)经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。

7. 刻蚀刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。

8. 去除光刻胶刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。

作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。

匿名回答于2023-09-17 19:17:54

关于光刻前处理工艺流程包括以下步骤：  

1. 衬底预处理(去除表面污染物、预烘烤至100~200°C等)

2. 涂胶(涂布光刻胶)

3. 前烘(软烘焙)

4. 对准曝光

5. 显影

匿名回答于2023-09-16 19:45:30

光刻前处理是半导体制程中的一个重要步骤，主要用于清洗和改善硅片表面质量，以及准备好接受光刻步骤。以下是光刻前处理的一般工艺流程：
1. 硅片清洗：将硅片放入去离子水中浸泡，去除表面污垢和颗粒。
2. 酸洗：将硅片浸泡在酸性溶液中，例如稀盐酸或硝酸，以去除氧化层和金属杂质。
3. 碱洗：将硅片浸泡在碱性溶液中，例如氢氧化铵或氢氧化钠，以去除酸洗残留物并改善表面平整度。
4. 高温清洗：将硅片放入高温酸性溶液中，例如浓硝酸和硫酸的混合溶液，以去除有机污染物。
5. 水清洗：将硅片用去离子水冲洗，以去除残留的化学溶液。
6. 干燥处理：将硅片在干燥设备中进行干燥处理，以去除水分和防止再度污染。
7. 电荷中和：用氮气吹扫硅片表面，以中和表面静电，防止颗粒吸附。
完成以上工艺流程后，硅片表面将变得干净、平整，准备好进行光刻步骤。需要注意的是，实际工艺流程可能会因制程要求和设备差异而有所变化。

匿名回答于2023-09-16 19:45:13