齐纳击穿一般是在重掺杂PN结内发生，击穿电压较小，低于5～6V；雪崩击穿一般是在轻掺杂PN结内发生，击穿电压较大，高于5～6V。原理介绍：齐纳击穿的原理：重掺杂的PN结由于隧道机制而发生齐纳击穿；在重掺杂的PN结内，反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以至于电子可以从P区的价带直接隧穿到N区的导带。
雪崩击穿的原理：当电子（或空穴）穿过空间电荷区时，由于电场的作用，它们的能量会增加；当它们的能量大到一定程度并且与耗尽区的原子内的电子碰撞时，会产生新的电子空穴对，新的电子空穴对又会撞击其它原子内的电子，形成雪崩效应；这种击穿称为雪崩击穿。
匿名回答于2023-10-21 22:32:09
