PD最大耗散功率：69W
ID最大漏源电流：43A
V(BR)DSS漏源击穿电压：80V
RDS(ON)Ω内阻：0.019Ω
VRDS(ON)ld通态电流：10A
VRDS(ON)栅极电压：10V
VGS(th)V开启电压：2~4V
VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA
匿名回答于2024-05-27 07:20:42
场效应晶体管是一种由多数载流子参与导电的半导体器件，也称为单极型晶体管，属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作范围宽等优点。
匿名回答于2024-05-11 16:04:52
