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光刻驻波效应原理?

光刻胶曝光时,光线透过光刻胶照射在硅(Si)衬底上,在光刻胶和衬底的界面处,光线会被反射,这些反射光和入射光会形成干涉,使得光强沿胶深方向的分布不均匀,形成驻波效应。

驻波效应对深紫外光刻胶的影响更为显著,因为很多硅片表面(例如氧化层、氮化硅和多晶硅)在较短的深紫外波长反射更加厉害。曝光后,光刻胶侧面是由过曝光和欠曝光而形成条痕。

驻波本质上降低了光刻胶成像的分辨率。驻波效应破坏了光刻胶图形侧壁的垂直性,也导致了光刻胶线宽测量的不稳定。

匿名回答于2023-09-17 19:22:08


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