光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料，属于工业材料。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。
随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。
匿名回答于2023-09-17 19:15:39
光刻胶是一种有机化合物，被紫外光曝光后在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。储存时间短保质期短暂，有效期仅90天，粘附性，抗蚀性，耐热稳定性、抗刻蚀能力，具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
匿名回答于2023-09-03 21:37:28
光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。
匿名回答于2023-09-03 21:37:28
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，受到光照后特性会发生改变，是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，主要应用于电子工业和印刷工业领域。光刻胶有正胶和负胶之分：正胶经过曝光后，受到光照的部分变得容易溶解，经过显影后被溶解，只留下未受光照的部分形成图形；而负胶却恰恰相反，经过曝光后，受到光照的部分会变得不易溶解，经过显影后，留下光照部分形成图形。
匿名回答于2023-09-03 21:37:37
它是微电子微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。
它是一大类居有光敏化学作用的高分子聚合物材料，又叫抗腐济。主要用于集成电路，封装，微机电系统，光电子器件，平板显示器，太阳能光伏等
匿名回答于2023-09-03 21:38:01
