氮化镓 晶圆是什么？

氮化镓(GaN)功率器件目前主要主要分为Si基和SiC基两种，SiC基的GaN的供应链可靠性并不如LDMOS高，这是因为SiC基的生长良率并不高，此外，SiC基的工艺很难做到6寸晶圆上生长，工艺极其复杂。

目前大范围在射频应用上的GaN器件都是在4寸晶圆上做出来的SiC基GaN。

而纯Si基方面，MACOM的纯硅基GaN目前已可以实现在6寸晶圆上生长，甚至将实现在8寸晶圆上进行生长。

这样从而GaN器件就有了媲美LDMOS的成本优势，实现规模量产，进而可以在成本上与已经有成熟产业链的LDMOS进行比较。

匿名回答于2024-05-18 11:40:28